ATP108-TL-H
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
ATP108-TL-H datasheet
-
МаркировкаATP108-TL-H
-
ПроизводительSanyo Semiconductor
-
ОписаниеON Semiconductor ATP108-TL-H RoHS: yes Transistor Polarity: P-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: - 40 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: - 70 A Rds On: 10.4 mOhms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: ATPAK-3 Brand: ON Semiconductor Fall Time: 290 ns Forward Transconductance - Min: 65 S Gate Charge Qg: 79.5 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 60 W Rise Time: 340 ns Factory Pack Quantity: 3000 Typical Turn-Off Delay Time: 340 ns
-
Количество страниц4 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
28.05.2024
27.05.2024
26.05.2024